Le miroir de courant à transistors GaAs BiFET (HBT, MESFET en technologie Arséniure de Gallium) est très performant pour la polarisation des amplificateurs MMIC (puce unique) fonctionnant à basses tensions [1]. Toutefois, en raison d’une grande variation de la tension de seuil des MESFET, il est préférable d’utiliser un miroir de courant à régulateur purement bipolaire (GaAs HBT) dans certaines applications [2]. Or, le miroir de courant HBT conventionnel cause une variation excessive du courant de polarisation avec une tension de référence VREF variant de 2,6V à 3,2V. Ceci est du à la tension VBE élevée d’un transistor GaAs HBT (1,3V).
Ce travail de recherche se concentre donc sur le miroir de courant GaAs HBT pour la polarisation des amplificateurs MMIC à basse tension. Dans cette communication nous proposons une nouvelle structure de miroir de courant GaAs HBT qui permet d’améliorer les performances DC et RF. Les résultats de simulation démontrent que cette nouvelle structure réduit les variations du courant de polarisation du transistor RF sur la plage 2.6V-3.2V de VREF et affecte positivement l’efficacité énergétique. De plus, cela permet une meilleure régulation du gain RF (0,75dB de variation) avec VREF aussi bas que 2,6V et une puissance du signal RF d’entrée variant de -10 dBm à 10 dBm. Ceci est une nette amélioration comparativement à 3,75dB avec la structure conventionnelle.
[1] A. G. Metzger et al., IEEE - JSSC, Oct. 2007.
[2] Brevet: USPTO 7719354, 18 Mai 2010.